机译:He〜+离子注入(110)取向的SiGe层中的单轴应变松弛
机译:通过离子注入技术制备的SiGe缓冲层的应变弛豫的离子剂量,能量和物种相关性
机译:使用Si〜+注入的薄SiGe缓冲层的应变弛豫的离子能量和剂量依赖性
机译:在(110)的Sieed SiGe / Si异质结构上形成的Si层中的菌株放松
机译:硅锗生长在独特取向的硅基板上的应变松弛效应。
机译:皮肤中的胶原蛋白纤维在单轴载荷的方向上与应力成比例同时在毛囊周围表现出不同的应变
机译:He +离子注入(110)取向的SiGe层中的单轴应变松弛
机译:siGe外延层应变松弛初始阶段的倒易空间分析